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三星开始量产第8代VNAND
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三星开始量产第8代VNAND
来源:互联网     时间:2023-02-04 08:41:17


(资料图片仅供参考)

11月7日消息,三星宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 0接口的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了2倍,这可以满足PCIe 0和更高版本PCIe 0的性能要求。

关键词: 性能要求 存储密度

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